Справочник MOSFET. SM4391NSKP

 

SM4391NSKP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM4391NSKP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 124.99 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 70 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1360 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00125 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8
 

 Аналог (замена) для SM4391NSKP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM4391NSKP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:294K  sino
 sm4391nskp.pdf pdf_icon

SM4391NSKP

SM4391NSKP N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionD 30V/100A, DDDRDS(ON)= 1.25m (max.) @ VGS=10V RDS(ON)= 1.7m (max.) @ VGS=4.5VGS Pin 1 Reliable and RuggedSS Lead Free and Green Devices AvailableDFN5x6-8(RoHS Compliant)(5,6,7,8)DDDD 100% UIS TestedApplications(4) G OR-ing Synchronous Rectifier for Server Battery Charger and

 9.1. Size:203K  taiwansemi
 tsm4392cs.pdf pdf_icon

SM4391NSKP

Preliminary TSM4392 30V N-Channel MOSFET PRODUCT SUMMARY SOP-8 Pin Definition: 1. Source VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Source 3. Source 11.5 @ VGS = 10V 12.5 4. Gate 30 16.5 @ VGS = 4.5V 10 5, 6, 7, 8. Drain Features Block Diagram Advance Trench Process Technology High Density Cell Design for Ultra Low On-resistance Application High-Side DC/

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: HY19P03V | SPW35N60C3 | HY3003V | IRF7413ZGPBF

 

 
Back to Top

 


 
.