SM2260NSQG Todos los transistores

 

SM2260NSQG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM2260NSQG
   Código: 2260A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X2A-6

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM2260NSQG

 

SM2260NSQG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  sino
sm2260nsqg.pdf

SM2260NSQG
SM2260NSQG

SM2260NSQGN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionSD 60V/5.2A,DDRDS(ON) = 48m(max.) @ VGS =10VRDS(ON) = 59m(max.) @ VGS =4.5V SGPin 1DD Reliable and RuggedDFN2x2-6 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)(1,2,5,6)DDDD 100% UIS TestedApplications(3)G High frequency DC-DC converters.(4)SN-Channel MOSFETOr

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


SM2260NSQG
  SM2260NSQG
  SM2260NSQG
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918

 

 

 
Back to Top