SM2260NSQG Todos los transistores

 

SM2260NSQG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM2260NSQG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm

Encapsulados: DFN2X2A-6

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SM2260NSQG datasheet

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SM2260NSQG

SM2260NSQG N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description S D 60V/5.2A, D D RDS(ON) = 48m (max.) @ VGS =10V RDS(ON) = 59m (max.) @ VGS =4.5V S G Pin 1 D D Reliable and Rugged DFN2x2-6 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) (1,2,5,6) DDDD 100% UIS Tested Applications (3)G High frequency DC-DC converters. (4)S N-Channel MOSFET Or

Otros transistores... SM4504NHKP , SM4506NHKP , SM2203NSQG , SM2204NSQG , SM2206NSQG , SM2208NSQG , SM2210NSQG , SM2225NSQG , IRF1405 , SM2290NSQG , SM2320NSA , SM2326NSAN , SM2360NSA , SM2370NSA , SM2404NSAN , SM2416NSAN , SM2430NSAN .

History: DMG2307L | SI2308DS-T1-GE3 | 2SK2223-01 | 2N90G-TND-R | SM4050PSV | DMN63D8LW | HBS170

 

 

 

 

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