Справочник MOSFET. SM2260NSQG

 

SM2260NSQG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM2260NSQG
   Маркировка: 2260A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 56 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X2A-6
 

 Аналог (замена) для SM2260NSQG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM2260NSQG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  sino
 sm2260nsqg.pdf pdf_icon

SM2260NSQG

SM2260NSQGN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin DescriptionSD 60V/5.2A,DDRDS(ON) = 48m(max.) @ VGS =10VRDS(ON) = 59m(max.) @ VGS =4.5V SGPin 1DD Reliable and RuggedDFN2x2-6 Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant)(1,2,5,6)DDDD 100% UIS TestedApplications(3)G High frequency DC-DC converters.(4)SN-Channel MOSFETOr

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SM4503NHKP | H5N3008P

 

 
Back to Top

 


 
.