SM2660NSC Todos los transistores

 

SM2660NSC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM2660NSC

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm

Encapsulados: SOT23-6

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SM2660NSC datasheet

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SM2660NSC

SM2660NSC N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 60V/5A, S D RDS(ON)= 48m (max.) @ VGS=10V D G RDS(ON)= 59m (max.) @ VGS=4.5V D D Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available Top View of SOT-23-6 (RoHS Compliant) (1,2,5,6) DDDD Applications (3)G High frequency DC-DC converters. (4)S N-Channel MOSFET Ordering and Marking Informa

Otros transistores... SM2501NSU , SM2518NSUC , SM2518NUB , SM2558NUB , SM2604NSC , SM2608NSC , SM2610NSC , SM2612NSC , AO4468 , SM2670NSC , SM2690NSC , SM2692NSC , SM2A11NSF , SM2A12NSF , SM2A12NSKP , SM2A12NSU , SM2A16NSF .

History: SM7002NSAN | ME2323D-G | 2N65L-TMA-T | 2N6788L | SI2305CDS-T1-GE3 | BRCS70N08IP | STB17N80K5

 

 

 

 

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