SM2660NSC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM2660NSC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 56 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.048 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM2660NSC

SM2660NSC Datasheet (PDF)

..1. Size:161K sino
sm2660nsc.pdf

SM2660NSCN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/5A,SDRDS(ON)= 48m(max.) @ VGS=10VDGRDS(ON)= 59m(max.) @ VGS=4.5VDD Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOT-23-6(RoHS Compliant)(1,2,5,6)DDDDApplications(3)G High frequency DC-DC converters.(4)SN-Channel MOSFETOrdering and Marking Informa

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: