SM2660NSC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SM2660NSC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 6 ns
Выходная емкость (Cd): 56 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.048 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6
SM2660NSC Datasheet (PDF)
..1. Size:161K sino
sm2660nsc.pdf
sm2660nsc.pdf
SM2660NSCN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/5A,SDRDS(ON)= 48m(max.) @ VGS=10VDGRDS(ON)= 59m(max.) @ VGS=4.5VDD Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOT-23-6(RoHS Compliant)(1,2,5,6)DDDDApplications(3)G High frequency DC-DC converters.(4)SN-Channel MOSFETOrdering and Marking Informa
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
