SM2A27NSFP Todos los transistores

 

SM2A27NSFP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM2A27NSFP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 23 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.66 Ohm

Encapsulados: TO220FP

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SM2A27NSFP datasheet

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SM2A27NSFP

SM2A27NSFP N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 200V/4A, RDS(ON)= 660m (Max.) @ VGS=10V RDS(ON)= 740m (Max.) @ VGS=4.5V S 100% UIS + Rg Tested D G Reliable and Rugged Top View of TO-220FP Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) D (2) Applications G (1) Power Management in DC/DC Converter. S (3) N-Channel MOSFET Ordering and Mark

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History: IRF630MFP | BS107ARL1 | MSF10N80 | IRHQ597110 | TPH2R608NH | IRHQ567110

 

 

 

 

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