SM2A27NSFP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SM2A27NSFP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 23 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 3.6 nC
Время нарастания (tr): 5 ns
Выходная емкость (Cd): 20 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.66 Ohm
Тип корпуса: TO220FP
Аналог (замена) для SM2A27NSFP
SM2A27NSFP Datasheet (PDF)
..1. Size:236K sino
sm2a27nsfp.pdf
sm2a27nsfp.pdf
SM2A27NSFP N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 200V/4A,RDS(ON)= 660m (Max.) @ VGS=10VRDS(ON)= 740m (Max.) @ VGS=4.5VS 100% UIS + Rg TestedDG Reliable and RuggedTop View of TO-220FP Lead Free and Green Devices Available(RoHS Compliant)D (2)ApplicationsG (1) Power Management in DC/DC Converter.S (3)N-Channel MOSFETOrdering and Mark
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
