IRF742 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF742  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 max pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO220

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IRF742 datasheet

 ..1. Size:482K  st
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IRF742

 0.1. Size:122K  international rectifier
irf7424pbf.pdf pdf_icon

IRF742

PD- 95343 IRF7424PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max (mW) ID l P-Channel MOSFET -30V 13.5@VGS = -10V -11A l Surface Mount 22@VGS = -4.5V -8.8A l Available in Tape & Reel l Lead-Free A 1 8 Description S D These P-Channel MOSFETs from International 2 7 S D Rectifier utilize advanced processing techniques to 3 achieve the extremely low on-resista

 0.2. Size:223K  international rectifier
irf7421d1pbf.pdf pdf_icon

IRF742

PD- 95304 IRF7421D1PbF FETKY MOSFET / Schottky Diode l Co-packaged HEXFET Power A A 1 8 MOSFET and Schottky Diode A D VDSS = 30V l Ideal For Synchronous Regulator 2 7 S D Applications 3 6 S D RDS(on) = 0.035 l Generation V Technology 4 5 G D l SO-8 Footprint Schottky Vf = 0.39V l Lead-Free Top View Description The FETKYTM family of co-packaged HEXFETs and Schottky

Otros transistores... IRF740AL, IRF740AS, IRF740FI, IRF740S, IRF741, IRF7413, IRF7413A, IRF7416, IRF9540, IRF7421D1, IRF7422D2, IRF743, IRF744, NCEP85T16D, NCEP85T25D, NCEP85T25T, NCEP85T35T