IRF742 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRF742  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 450 max pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRF742

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF742 даташит

 ..1. Size:482K  st
irf740 irf741 irf742 irf743-fi.pdfpdf_icon

IRF742

 0.1. Size:122K  international rectifier
irf7424pbf.pdfpdf_icon

IRF742

PD- 95343 IRF7424PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max (mW) ID l P-Channel MOSFET -30V 13.5@VGS = -10V -11A l Surface Mount 22@VGS = -4.5V -8.8A l Available in Tape & Reel l Lead-Free A 1 8 Description S D These P-Channel MOSFETs from International 2 7 S D Rectifier utilize advanced processing techniques to 3 achieve the extremely low on-resista

 0.2. Size:223K  international rectifier
irf7421d1pbf.pdfpdf_icon

IRF742

PD- 95304 IRF7421D1PbF FETKY MOSFET / Schottky Diode l Co-packaged HEXFET Power A A 1 8 MOSFET and Schottky Diode A D VDSS = 30V l Ideal For Synchronous Regulator 2 7 S D Applications 3 6 S D RDS(on) = 0.035 l Generation V Technology 4 5 G D l SO-8 Footprint Schottky Vf = 0.39V l Lead-Free Top View Description The FETKYTM family of co-packaged HEXFETs and Schottky

Другие IGBT... IRF740AL, IRF740AS, IRF740FI, IRF740S, IRF741, IRF7413, IRF7413A, IRF7416, IRF4905, IRF7421D1, IRF7422D2, IRF743, IRF744, NCEP85T16D, NCEP85T25D, NCEP85T25T, NCEP85T35T