IRF743 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF743
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 350 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 max nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450 max pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
Encapsulados: TO220
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IRF743 datasheet
irf7433pbf.pdf
PD - 95305 IRF7433PbF HEXFET Power MOSFET l Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID l P-Channel MOSFET -12V 24m @VGS = -4.5V -8.7A l Surface Mount 30m @VGS = -2.5V -7.4A l Available in Tape & Reel 46m @VGS = -1.8V -6.3A l Lead-Free Description A 1 8 S D These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to 2 7 S D achieve
irf7434.pdf
PD - 9.1709 IRF7343 PRELIMINARY HEXFET Power MOSFET Generation V Technology N-CHANNEL MOSFE T N-Ch P-Ch 1 8 Ultra Low On-Resistance S1 D1 Dual N and P Channel MOSFET 2 7 G1 D1 Surface Mount VDSS 55V -55V 3 6 S2 D2 Fully Avalanche Rated 4 5 G2 D2 P-C H ANN EL MO SFE T RDS(on) 0.050 0.105 Description Top View Fifth Generation HEXFETs from International Rectifie
irf7433.pdf
PD -94056 IRF7433 HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-Resistance VDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET -12V 24m @VGS = -4.5V -8.7A Surface Mount 30m @VGS = -2.5V -7.4A Available in Tape & Reel 46m @VGS = -1.8V -6.3A Description A 1 8 S D These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to 2 7 S D achieve the extremely low on-
Otros transistores... IRF740S , IRF741 , IRF7413 , IRF7413A , IRF7416 , IRF742 , IRF7421D1 , IRF7422D2 , STP75NF75 , IRF744 , NCEP85T16D , NCEP85T25D , NCEP85T25T , NCEP85T35T , IRF750A , IRF7521D1 , IRF7523D1 .
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