IRF743 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF743
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 350 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 15(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 450(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF743

IRF743 Datasheet (PDF)

..1. Size:191K samsung
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0.1. Size:164K international rectifier
irf7433pbf.pdf

PD - 95305IRF7433PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max IDl P-Channel MOSFET -12V 24m@VGS = -4.5V -8.7Al Surface Mount30m@VGS = -2.5V -7.4Al Available in Tape & Reel46m@VGS = -1.8V -6.3Al Lead-FreeDescriptionA1 8S DThese P-Channel MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to 2 7S Dachieve

0.2. Size:149K international rectifier
irf7434.pdf

PD - 9.1709IRF7343PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Generation V TechnologyN-CHANNEL MOSFE TN-Ch P-Ch1 8 Ultra Low On-ResistanceS1 D1 Dual N and P Channel MOSFET2 7G1 D1 Surface Mount VDSS 55V -55V3 6S2 D2 Fully Avalanche Rated4 5G2 D2P-C H ANN EL MO SFE TRDS(on) 0.050 0.105DescriptionTop ViewFifth Generation HEXFETs from International Rectifie

0.3. Size:105K international rectifier
irf7433.pdf

PD -94056IRF7433HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET -12V 24m@VGS = -4.5V -8.7A Surface Mount30m@VGS = -2.5V -7.4A Available in Tape & Reel46m@VGS = -1.8V -6.3ADescriptionA1 8S DThese P-Channel MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to 2 7S Dachieve the extremely low on-

0.4. Size:482K st
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Liste

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