Справочник MOSFET. IRF743

 

IRF743 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF743
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 350 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 63(max) nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 15(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 450(max) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IRF743

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF743 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  samsung
 irfp340 irfp341 irfp342 irfp343 irf740 irf741 irf742 irf743.pdf pdf_icon

IRF743

 0.1. Size:164K  international rectifier
 irf7433pbf.pdf pdf_icon

IRF743

PD - 95305IRF7433PbFHEXFET Power MOSFETl Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max IDl P-Channel MOSFET -12V 24m@VGS = -4.5V -8.7Al Surface Mount30m@VGS = -2.5V -7.4Al Available in Tape & Reel46m@VGS = -1.8V -6.3Al Lead-FreeDescriptionA1 8S DThese P-Channel MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to 2 7S Dachieve

 0.2. Size:149K  international rectifier
 irf7434.pdf pdf_icon

IRF743

PD - 9.1709IRF7343PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Generation V TechnologyN-CHANNEL MOSFE TN-Ch P-Ch1 8 Ultra Low On-ResistanceS1 D1 Dual N and P Channel MOSFET2 7G1 D1 Surface Mount VDSS 55V -55V3 6S2 D2 Fully Avalanche Rated4 5G2 D2P-C H ANN EL MO SFE TRDS(on) 0.050 0.105DescriptionTop ViewFifth Generation HEXFETs from International Rectifie

 0.3. Size:105K  international rectifier
 irf7433.pdf pdf_icon

IRF743

PD -94056IRF7433HEXFET Power MOSFET Ultra Low On-ResistanceVDSS RDS(on) max ID P-Channel MOSFET -12V 24m@VGS = -4.5V -8.7A Surface Mount30m@VGS = -2.5V -7.4A Available in Tape & Reel46m@VGS = -1.8V -6.3ADescriptionA1 8S DThese P-Channel MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to 2 7S Dachieve the extremely low on-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRF740S , IRF741 , IRF7413 , IRF7413A , IRF7416 , IRF742 , IRF7421D1 , IRF7422D2 , 12N60 , IRF744 , NCEP85T16D , NCEP85T25D , NCEP85T25T , NCEP85T35T , IRF750A , IRF7521D1 , IRF7523D1 .

History: MDF7N50BTH | H5N3008P | SM4503NHKP | SM2260NSQG

 

 
Back to Top

 


 
.