MXP65D7AQ Todos los transistores

 

MXP65D7AQ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MXP65D7AQ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 231 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 142 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 610 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0057 Ohm

Encapsulados: TO3P

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MXP65D7AQ datasheet

 6.1. Size:323K  maxpower
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MXP65D7AQ

MXP65D7AT MXP65D7AQ 60V N-Channel MOSFET Applications High Speed Power Switching VDS RDS(ON)(MAX) ID Hard Switched and High Frequency Circuits 60V 5.7m 142A Uninterruptible Power Supply TO-220 TO-3P Features Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS Ruggedness Pin Definition an

Otros transistores... MXP1006AT , MXP1007AT , MXP1008AT , MXP1015AT , MXP43P9AD , MXP43P9AE , MXP43P9AF , MXP43P9AT , IRF3710 , MXP65D7AT , MXP8004AT , MXP84D7AT , MXP4002AE , MXP4002AF , MXP4002AT , MXP4003CTS , MXP4004AT .

History: NTTFS5116PLTAG | ME60N03 | NTTFS4H05N | SPB80N06S2L-H5 | PNMT6N2 | MDV1529EURH | MXP4002AF

 

 

 

 

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