MXP65D7AQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MXP65D7AQ
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 231 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 142 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 610 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0057 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de MXP65D7AQ MOSFET
MXP65D7AQ Datasheet (PDF)
mxp65d7at-aq.pdf
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History: SM2217PSQG | CJAC80SN10 | SML1004RBN
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