MXP65D7AQ - описание и поиск аналогов

 

MXP65D7AQ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MXP65D7AQ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 142 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 610 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0057 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для MXP65D7AQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MXP65D7AQ даташит

 6.1. Size:323K  maxpower
 mxp65d7at-aq.pdf pdf_icon

MXP65D7AQ

MXP65D7AT MXP65D7AQ 60V N-Channel MOSFET Applications High Speed Power Switching VDS RDS(ON)(MAX) ID Hard Switched and High Frequency Circuits 60V 5.7m 142A Uninterruptible Power Supply TO-220 TO-3P Features Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS Ruggedness Pin Definition an

Другие MOSFET... MXP1006AT , MXP1007AT , MXP1008AT , MXP1015AT , MXP43P9AD , MXP43P9AE , MXP43P9AF , MXP43P9AT , IRF3710 , MXP65D7AT , MXP8004AT , MXP84D7AT , MXP4002AE , MXP4002AF , MXP4002AT , MXP4003CTS , MXP4004AT .

History: NE5520279A | 2SK4065-DL-1E | 2SK1764

 

 

 

 

↑ Back to Top
.