MXP8004AT Todos los transistores

 

MXP8004AT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MXP8004AT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 333 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 126 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 980 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: TO220

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MXP8004AT datasheet

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MXP8004AT

MXP8004AT 80V N-ch Power MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),max. ID[2] Proprietary New Trench Technology 80V 4.0m 200A RDS(ON),typ.=3.0m @VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectification UPS Inverter Ordering Information Part Number Pac

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History: MDV1527URH | NTTFS4H05N | ME60N03

 

 

 

 

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