MXP8004AT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MXP8004AT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 126 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 980 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для MXP8004AT
MXP8004AT Datasheet (PDF)
mxp8004at.pdf
MXP8004AT 80V N-ch Power MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),max. ID[2] Proprietary New Trench Technology 80V 4.0m 200A RDS(ON),typ.=3.0m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectification UPS Inverter Ordering Information Part Number Pac
Другие MOSFET... MXP1008AT , MXP1015AT , MXP43P9AD , MXP43P9AE , MXP43P9AF , MXP43P9AT , MXP65D7AQ , MXP65D7AT , AON6414A , MXP84D7AT , MXP4002AE , MXP4002AF , MXP4002AT , MXP4003CTS , MXP4004AT , MXP4004BE , MXP4004BF .
History: 2SK1589-T1B | STD35NF3LL | FDN342P | AP2301EN
History: 2SK1589-T1B | STD35NF3LL | FDN342P | AP2301EN
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
2n3907 | 12n60 | mp42b transistor | c1675 transistor | c5198 transistor | ru7088r | 2sa733 replacement | 2n3906 transistor equivalent


