Справочник MOSFET. MXP8004AT

 

MXP8004AT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MXP8004AT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 333 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 148 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 126 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 980 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для MXP8004AT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MXP8004AT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:591K  maxpower
 mxp8004at.pdf pdf_icon

MXP8004AT

MXP8004AT 80V N-ch Power MOSFET General Features BVDSS RDS(ON),max. ID[2] Proprietary New Trench Technology 80V 4.0m 200A RDS(ON),typ.=3.0m@VGS=10V Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode Applications High efficiency DC/DC Converters Synchronous Rectification UPS Inverter Ordering Information Part Number Pac

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: KP103L | G11

 

 
Back to Top

 


 
.