MXP6006DF Todos los transistores

 

MXP6006DF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MXP6006DF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 158 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 115 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 534 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: TO263

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MXP6006DF datasheet

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MXP6006DF

MXP6006DT, MXP6006DF Datasheet 60V N-Channel MOSFET Applications a Power Supply VDS RDS(ON)(MAX) ID DC-DC Converters 60V 6m 115A Features Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS Capability Ordering Information Park Number Package Brand MXP6006DT TO-220 MXP TO-263 TO-263 MXP M

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MXP6006DF

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MXP6006DF

MXP6006DP Datasheet 60V N-Channel MOSFET Applications a Power Supply VDS RDS(ON)(MAX) ID DC-DC Converters 60V 6m 115A Features Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS Capability Ordering Park Number Package Brand MXP6006DP Power SO-8 MXP Absolute Maximum Ratings TC=25 unless

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History: 2N6659X | STG8820 | NCE4606 | STW70N65M2 | RD3P200SNFRA | AGM405A | STD55N4F5

 

 

 

 

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