MXP6006DF Todos los transistores

 

MXP6006DF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MXP6006DF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 158 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 115 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 534 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
     - Selección de transistores por parámetros

 

MXP6006DF Datasheet (PDF)

 6.1. Size:193K  maxpower
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MXP6006DF

MXP6006DT, MXP6006DF Datasheet60V N-Channel MOSFETApplications:a Power Supply VDS RDS(ON)(MAX)ID DC-DC Converters 60V 6m 115AFeatures: Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS CapabilityOrdering InformationPark Number Package BrandMXP6006DT TO-220 MXPTO-263TO-263 MXPM

 6.2. Size:181K  maxpower
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MXP6006DF

MXP6006DT Datasheet60V N-Channel MOSFETApplications:a Power Supply VDS RDS(ON)(MAX)ID DC-DC Converters 60V 6m 115AFeatures: Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS CapabilityOrdering InformationPark Number Package BrandMXP6006DT TO-220 MXPAbsolute Maximum Ratings TC=25

 6.3. Size:493K  maxpower
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MXP6006DF

MXP6006DP Datasheet60V N-Channel MOSFETApplications:a Power Supply VDS RDS(ON)(MAX)ID DC-DC Converters 60V 6m 115AFeatures: Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS CapabilityOrderingPark Number Package BrandMXP6006DP Power SO-8 MXPAbsolute Maximum Ratings TC=25unless

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History: MIC94031BM4TR | RUH1H139R-A | SVS11N65S | FRS240H | FQD10N20CTF | NP82N06PDG | KI2312DS

 

 
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