MXP6006DF
MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MXP6006DF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158
W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60
V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20
V
|Id|ⓘ - Максимально
допустимый постоянный ток стока: 115
A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175
°C
trⓘ -
Время нарастания: 43
ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 534
pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006
Ohm
Тип корпуса:
TO263
Аналог (замена) для MXP6006DF
MXP6006DF
Datasheet (PDF)
6.1. Size:193K maxpower
mxp6006dt-df.pdf 
MXP6006DT, MXP6006DF Datasheet60V N-Channel MOSFETApplications:a Power Supply VDS RDS(ON)(MAX)ID DC-DC Converters 60V 6m 115AFeatures: Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS CapabilityOrdering InformationPark Number Package BrandMXP6006DT TO-220 MXPTO-263TO-263 MXPM
6.2. Size:181K maxpower
mxp6006dt.pdf 
MXP6006DT Datasheet60V N-Channel MOSFETApplications:a Power Supply VDS RDS(ON)(MAX)ID DC-DC Converters 60V 6m 115AFeatures: Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS CapabilityOrdering InformationPark Number Package BrandMXP6006DT TO-220 MXPAbsolute Maximum Ratings TC=25
6.3. Size:493K maxpower
mxp6006dp.pdf 
MXP6006DP Datasheet60V N-Channel MOSFETApplications:a Power Supply VDS RDS(ON)(MAX)ID DC-DC Converters 60V 6m 115AFeatures: Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS CapabilityOrderingPark Number Package BrandMXP6006DP Power SO-8 MXPAbsolute Maximum Ratings TC=25unless
Другие MOSFET... IRFP344
, IRFP350
, IRFP350A
, IRFP350FI
, IRFP350LC
, IRFP351
, IRFP352
, IRFP353
, 2SK3568
, IRFP360
, IRFP360LC
, IRFP3710
, IRFP430
, IRFP431
, IRFP432
, IRFP433
, IRFP440
.
