MXP6006DF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: MXP6006DF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 158 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 115 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 534 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для MXP6006DF
MXP6006DF Datasheet (PDF)
mxp6006dt-df.pdf
MXP6006DT, MXP6006DF Datasheet60V N-Channel MOSFETApplications:a Power Supply VDS RDS(ON)(MAX)ID DC-DC Converters 60V 6m 115AFeatures: Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS CapabilityOrdering InformationPark Number Package BrandMXP6006DT TO-220 MXPTO-263TO-263 MXPM
mxp6006dt.pdf
MXP6006DT Datasheet60V N-Channel MOSFETApplications:a Power Supply VDS RDS(ON)(MAX)ID DC-DC Converters 60V 6m 115AFeatures: Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS CapabilityOrdering InformationPark Number Package BrandMXP6006DT TO-220 MXPAbsolute Maximum Ratings TC=25
mxp6006dp.pdf
MXP6006DP Datasheet60V N-Channel MOSFETApplications:a Power Supply VDS RDS(ON)(MAX)ID DC-DC Converters 60V 6m 115AFeatures: Lead Free Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss Low Gate Charge for Fast Switching Application Optimized V(BR)DSS CapabilityOrderingPark Number Package BrandMXP6006DP Power SO-8 MXPAbsolute Maximum Ratings TC=25unless
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
