SM1600DSCS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SM1600DSCS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.31 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT363

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SM1600DSCS

SM1600DSCS Datasheet (PDF)

..1. Size:237K sino
sm1600dscs.pdf

SM1660DSCS Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/0.26A,S2 RDS(ON)= 2.2 (max.) @ VGS=10VG2D2 RDS(ON)= 2.6 (max.) @ VGS=4.5VD1G1S1 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOT-363(RoHS Compliant)(6)D1(3)D2 ESD Protection(2)(5)ApplicationsG1G2 Load switch. High-speed line driver.(1)S1(4

9.1. Size:62K taiwansemi
tsm160n10cz.pdf

TSM160N10 100V N-Channel Power MOSFET TO-220 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Drain 3. Source 100 5.5 @ VGS =10V 160 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low RDS(ON) 5.5m (Max.) Low gate charge typical @ 154nC (Typ.) Low Crss typical @ 300pF (Typ.) Ordering Information Part No. Package Packing

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: