SM1600DSCS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SM1600DSCS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.31 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
Encapsulados: SOT363
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SM1600DSCS datasheet
sm1600dscs.pdf
SM1660DSCS Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 60V/0.26A, S2 RDS(ON)= 2.2 (max.) @ VGS=10V G2 D2 RDS(ON)= 2.6 (max.) @ VGS=4.5V D1 G1 S1 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available Top View of SOT-363 (RoHS Compliant) (6)D1 (3)D2 ESD Protection (2) (5) Applications G1 G2 Load switch. High-speed line driver. (1)S1 (4
tsm160n10cz.pdf
TSM160N10 100V N-Channel Power MOSFET TO-220 Pin Definition PRODUCT SUMMARY 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m ) ID (A) 2. Drain 3. Source 100 5.5 @ VGS =10V 160 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low RDS(ON) 5.5m (Max.) Low gate charge typical @ 154nC (Typ.) Low Crss typical @ 300pF (Typ.) Ordering Information Part No. Package Packing
Otros transistores... MXP5504CT , MXP6004CTS , MXP6006CT , MXP6006DP , MXP6006DT , MXP6006DF , APM9988QB , SM1501GSQH , 5N65 , SM1660DSCS , SM1A23DSK , SM2630DSC , SM2A18DSK , SM3380EHQG , SM3381EHQG , SM9990DSQG , SM9992DSQG .
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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