Справочник MOSFET. SM1600DSCS

 

SM1600DSCS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SM1600DSCS
   Маркировка: M60*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.31 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: SOT363

 Аналог (замена) для SM1600DSCS

 

 

SM1600DSCS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  sino
 sm1600dscs.pdf

SM1600DSCS SM1600DSCS

SM1660DSCS Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/0.26A,S2 RDS(ON)= 2.2 (max.) @ VGS=10VG2D2 RDS(ON)= 2.6 (max.) @ VGS=4.5VD1G1S1 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOT-363(RoHS Compliant)(6)D1(3)D2 ESD Protection(2)(5)ApplicationsG1G2 Load switch. High-speed line driver.(1)S1(4

 9.1. Size:62K  taiwansemi
 tsm160n10cz.pdf

SM1600DSCS SM1600DSCS

TSM160N10 100V N-Channel Power MOSFET TO-220 Pin Definition: PRODUCT SUMMARY 1. Gate VDS (V) RDS(on)(m) ID (A) 2. Drain 3. Source 100 5.5 @ VGS =10V 160 Features Block Diagram Advanced Trench Technology Low RDS(ON) 5.5m (Max.) Low gate charge typical @ 154nC (Typ.) Low Crss typical @ 300pF (Typ.) Ordering Information Part No. Package Packing

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXTP120N075T2

 

 
Back to Top