SM1660DSCS Todos los transistores

 

SM1660DSCS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM1660DSCS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.26 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm

Encapsulados: SOT363

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SM1660DSCS datasheet

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SM1660DSCS

SM1660DSCS Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 60V/0.26A, RDS(ON)= 2.2 (max.) @ VGS=10V S2 G2 D2 RDS(ON)= 2.6 (max.) @ VGS=4.5V D1 G1 Reliable and Rugged S1 Lead Free and Green Devices Available Top View of SOT-363 (RoHS Compliant) (6)D1 (3)D2 ESD Protection HBM=(+/-)1600V MM=(+/-)100V (2) (5) Applications G1 G2 Load switch. Hig

Otros transistores... MXP6004CTS , MXP6006CT , MXP6006DP , MXP6006DT , MXP6006DF , APM9988QB , SM1501GSQH , SM1600DSCS , IRF1010E , SM1A23DSK , SM2630DSC , SM2A18DSK , SM3380EHQG , SM3381EHQG , SM9990DSQG , SM9992DSQG , SM9994DSO .

History: STD36P4LLF6 | STD13N50DM2AG | NTF5P03T3G | SIR422DP-T1-GE3 | 3N45 | CS16N06AE-G

 

 

 

 

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