SM1660DSCS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SM1660DSCS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.25 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.26 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.5 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT363
Búsqueda de reemplazo de SM1660DSCS MOSFET
SM1660DSCS Datasheet (PDF)
sm1660dscs.pdf
SM1660DSCS Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/0.26A, RDS(ON)= 2.2 (max.) @ VGS=10V S2G2D2 RDS(ON)= 2.6 (max.) @ VGS=4.5VD1G1 Reliable and RuggedS1 Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOT-363(RoHS Compliant)(6)D1(3)D2 ESD Protection : HBM=(+/-)1600V MM=(+/-)100V(2)(5)ApplicationsG1G2 Load switch. Hig
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History: H04N60F | SML30J130F
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Liste
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