SM1660DSCS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SM1660DSCS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.26 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 5.5 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
Тип корпуса: SOT363
Аналог (замена) для SM1660DSCS
SM1660DSCS Datasheet (PDF)
sm1660dscs.pdf

SM1660DSCS Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/0.26A, RDS(ON)= 2.2 (max.) @ VGS=10V S2G2D2 RDS(ON)= 2.6 (max.) @ VGS=4.5VD1G1 Reliable and RuggedS1 Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOT-363(RoHS Compliant)(6)D1(3)D2 ESD Protection : HBM=(+/-)1600V MM=(+/-)100V(2)(5)ApplicationsG1G2 Load switch. Hig
Другие MOSFET... MXP6004CTS , MXP6006CT , MXP6006DP , MXP6006DT , MXP6006DF , APM9988QB , SM1501GSQH , SM1600DSCS , IRF530 , SM1A23DSK , SM2630DSC , SM2A18DSK , SM3380EHQG , SM3381EHQG , SM9990DSQG , SM9992DSQG , SM9994DSO .
History: HY4008W | SML50C15 | 2SK2848 | IPU135N08N3G | FDBL86363-F085 | BRCS150C02YA | SI2367DS
History: HY4008W | SML50C15 | 2SK2848 | IPU135N08N3G | FDBL86363-F085 | BRCS150C02YA | SI2367DS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet