SM1660DSCS - описание и поиск аналогов

 

SM1660DSCS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SM1660DSCS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 5.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: SOT363

Аналог (замена) для SM1660DSCS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM1660DSCS даташит

 ..1. Size:237K  sino
 sm1660dscs.pdf pdf_icon

SM1660DSCS

SM1660DSCS Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description 60V/0.26A, RDS(ON)= 2.2 (max.) @ VGS=10V S2 G2 D2 RDS(ON)= 2.6 (max.) @ VGS=4.5V D1 G1 Reliable and Rugged S1 Lead Free and Green Devices Available Top View of SOT-363 (RoHS Compliant) (6)D1 (3)D2 ESD Protection HBM=(+/-)1600V MM=(+/-)100V (2) (5) Applications G1 G2 Load switch. Hig

Другие MOSFET... MXP6004CTS , MXP6006CT , MXP6006DP , MXP6006DT , MXP6006DF , APM9988QB , SM1501GSQH , SM1600DSCS , IRF1010E , SM1A23DSK , SM2630DSC , SM2A18DSK , SM3380EHQG , SM3381EHQG , SM9990DSQG , SM9992DSQG , SM9994DSO .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.