Справочник MOSFET. SM1660DSCS

 

SM1660DSCS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM1660DSCS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 5.5 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: SOT363
 

 Аналог (замена) для SM1660DSCS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM1660DSCS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:237K  sino
 sm1660dscs.pdf pdf_icon

SM1660DSCS

SM1660DSCS Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 60V/0.26A, RDS(ON)= 2.2 (max.) @ VGS=10V S2G2D2 RDS(ON)= 2.6 (max.) @ VGS=4.5VD1G1 Reliable and RuggedS1 Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOT-363(RoHS Compliant)(6)D1(3)D2 ESD Protection : HBM=(+/-)1600V MM=(+/-)100V(2)(5)ApplicationsG1G2 Load switch. Hig

Другие MOSFET... MXP6004CTS , MXP6006CT , MXP6006DP , MXP6006DT , MXP6006DF , APM9988QB , SM1501GSQH , SM1600DSCS , IRF530 , SM1A23DSK , SM2630DSC , SM2A18DSK , SM3380EHQG , SM3381EHQG , SM9990DSQG , SM9992DSQG , SM9994DSO .

 

 
Back to Top

 


 
.