SM2630DSC Todos los transistores

 

SM2630DSC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM2630DSC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.039 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6
 

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SM2630DSC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:160K  sino
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SM2630DSC

SM2630DSC Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 30V/4A,D2S1 RDS(ON)=39m(max.) @ VGS=10VD1G2 RDS(ON)=68m(max.) @ VGS=4.5VS2G1 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOT-23-6(RoHS Compliant)(6)D1 (4)D2(1)(3)ApplicationsG1G2 Power Management in Notebook Computer,Portable Equipment and Ba

Otros transistores... MXP6006DP , MXP6006DT , MXP6006DF , APM9988QB , SM1501GSQH , SM1600DSCS , SM1660DSCS , SM1A23DSK , IRLZ44N , SM2A18DSK , SM3380EHQG , SM3381EHQG , SM9990DSQG , SM9992DSQG , SM9994DSO , SM9998DSQG , SM4040DSK .

History: IRFY330C | HGA320N20S | BSB013NE2LXI | UTM4052L-TN4-T | LSGG04R028 | CTLDM303N-M832DS | CS7N65CU

 

 
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