SM2630DSC - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SM2630DSC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6
Аналог (замена) для SM2630DSC
SM2630DSC Datasheet (PDF)
sm2630dsc.pdf

SM2630DSC Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description 30V/4A,D2S1 RDS(ON)=39m(max.) @ VGS=10VD1G2 RDS(ON)=68m(max.) @ VGS=4.5VS2G1 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableTop View of SOT-23-6(RoHS Compliant)(6)D1 (4)D2(1)(3)ApplicationsG1G2 Power Management in Notebook Computer,Portable Equipment and Ba
Другие MOSFET... MXP6006DP , MXP6006DT , MXP6006DF , APM9988QB , SM1501GSQH , SM1600DSCS , SM1660DSCS , SM1A23DSK , AON7506 , SM2A18DSK , SM3380EHQG , SM3381EHQG , SM9990DSQG , SM9992DSQG , SM9994DSO , SM9998DSQG , SM4040DSK .
History: JMTC110N06A | AP2611GY-HF
History: JMTC110N06A | AP2611GY-HF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent