SM3380EHQG Todos los transistores

 

SM3380EHQG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM3380EHQG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 318 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: DFN3X3E-8

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SM3380EHQG datasheet

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SM3380EHQG

SM3380EHQG Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description Channel 1 S2S2 G2S2 30V/18A, RDS(ON) = 10.8m (max.) @ VGS = 10V D1 D1 RDS(ON) = 17.5m (max.) @ VGS = 4.5V D1 G1 Channel 2 DFN3x3E-8_EP2 30V/18A, RDS(ON) = 10m (max.) @ VGS = 10V RDS(ON) = 16m (max.) @ VGS = 4.5V D1 S1/D2 (2)(3) (4) 100% UIS Tested ESD Protection G1 (1) Reliable and Rugged

 9.1. Size:310K  sino
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SM3380EHQG

SM3381EHQG Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description Channel 1 S2S2 G2S2 30V/18A, RDS(ON) = 20.5m (max.) @ VGS = 10V D1 D1 RDS(ON) = 30m (max.) @ VGS = 4.5V D1 G1 Channel 2 DFN3x3E-8_EP2 30V/18A, RDS(ON) = 10m (max.) @ VGS = 10V RDS(ON) = 16m (max.) @ VGS = 4.5V D1 S1/D2 (2)(3) (4) (9) ESD Protection 100% UIS + Rg Tested (1) G1 Reliable an

Otros transistores... MXP6006DF , APM9988QB , SM1501GSQH , SM1600DSCS , SM1660DSCS , SM1A23DSK , SM2630DSC , SM2A18DSK , CS150N03A8 , SM3381EHQG , SM9990DSQG , SM9992DSQG , SM9994DSO , SM9998DSQG , SM4040DSK , SM4041DSK , SM4042DSK .

History: 2SK4080-ZK-E2-AY | AO8803 | STF15N60M2-EP | VS3640DB | 2N90L-TA3-T | SM4305PSKC | ME2306A-G

 

 

 

 

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