SM3380EHQG MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SM3380EHQG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 8 nC
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 318 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.01 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3E-8
Аналог (замена) для SM3380EHQG
SM3380EHQG Datasheet (PDF)
sm3380ehqg.pdf
SM3380EHQGDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description Channel 1S2S2G2S2 30V/18A,RDS(ON) = 10.8m (max.) @ VGS = 10VD1D1RDS(ON) = 17.5m (max.) @ VGS = 4.5V D1G1 Channel 2DFN3x3E-8_EP230V/18A,RDS(ON) = 10m (max.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 16m (max.) @ VGS = 4.5VD1 S1/D2(2)(3) (4) 100% UIS Tested ESD ProtectionG1 (1) Reliable and Rugged
sm3381ehqg.pdf
SM3381EHQGDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description Channel 1S2S2G2S2 30V/18A,RDS(ON) = 20.5m (max.) @ VGS = 10VD1D1RDS(ON) = 30m (max.) @ VGS = 4.5VD1G1 Channel 2DFN3x3E-8_EP230V/18A,RDS(ON) = 10m (max.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 16m (max.) @ VGS = 4.5VD1 S1/D2(2)(3) (4) (9) ESD Protection 100% UIS + Rg Tested(1)G1 Reliable an
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
