SM3380EHQG - описание и поиск аналогов

 

SM3380EHQG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SM3380EHQG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 318 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3E-8

Аналог (замена) для SM3380EHQG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM3380EHQG даташит

 ..1. Size:306K  sino
 sm3380ehqg.pdf pdf_icon

SM3380EHQG

SM3380EHQG Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description Channel 1 S2S2 G2S2 30V/18A, RDS(ON) = 10.8m (max.) @ VGS = 10V D1 D1 RDS(ON) = 17.5m (max.) @ VGS = 4.5V D1 G1 Channel 2 DFN3x3E-8_EP2 30V/18A, RDS(ON) = 10m (max.) @ VGS = 10V RDS(ON) = 16m (max.) @ VGS = 4.5V D1 S1/D2 (2)(3) (4) 100% UIS Tested ESD Protection G1 (1) Reliable and Rugged

 9.1. Size:310K  sino
 sm3381ehqg.pdf pdf_icon

SM3380EHQG

SM3381EHQG Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description Channel 1 S2S2 G2S2 30V/18A, RDS(ON) = 20.5m (max.) @ VGS = 10V D1 D1 RDS(ON) = 30m (max.) @ VGS = 4.5V D1 G1 Channel 2 DFN3x3E-8_EP2 30V/18A, RDS(ON) = 10m (max.) @ VGS = 10V RDS(ON) = 16m (max.) @ VGS = 4.5V D1 S1/D2 (2)(3) (4) (9) ESD Protection 100% UIS + Rg Tested (1) G1 Reliable an

Другие MOSFET... MXP6006DF , APM9988QB , SM1501GSQH , SM1600DSCS , SM1660DSCS , SM1A23DSK , SM2630DSC , SM2A18DSK , CS150N03A8 , SM3381EHQG , SM9990DSQG , SM9992DSQG , SM9994DSO , SM9998DSQG , SM4040DSK , SM4041DSK , SM4042DSK .

History: IRF8736TR | WMK05N105C2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.