Справочник MOSFET. SM3380EHQG

 

SM3380EHQG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM3380EHQG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 318 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3E-8
 

 Аналог (замена) для SM3380EHQG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM3380EHQG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:306K  sino
 sm3380ehqg.pdf pdf_icon

SM3380EHQG

SM3380EHQGDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description Channel 1S2S2G2S2 30V/18A,RDS(ON) = 10.8m (max.) @ VGS = 10VD1D1RDS(ON) = 17.5m (max.) @ VGS = 4.5V D1G1 Channel 2DFN3x3E-8_EP230V/18A,RDS(ON) = 10m (max.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 16m (max.) @ VGS = 4.5VD1 S1/D2(2)(3) (4) 100% UIS Tested ESD ProtectionG1 (1) Reliable and Rugged

 9.1. Size:310K  sino
 sm3381ehqg.pdf pdf_icon

SM3380EHQG

SM3381EHQGDual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description Channel 1S2S2G2S2 30V/18A,RDS(ON) = 20.5m (max.) @ VGS = 10VD1D1RDS(ON) = 30m (max.) @ VGS = 4.5VD1G1 Channel 2DFN3x3E-8_EP230V/18A,RDS(ON) = 10m (max.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 16m (max.) @ VGS = 4.5VD1 S1/D2(2)(3) (4) (9) ESD Protection 100% UIS + Rg Tested(1)G1 Reliable an

Другие MOSFET... MXP6006DF , APM9988QB , SM1501GSQH , SM1600DSCS , SM1660DSCS , SM1A23DSK , SM2630DSC , SM2A18DSK , IRLB4132 , SM3381EHQG , SM9990DSQG , SM9992DSQG , SM9994DSO , SM9998DSQG , SM4040DSK , SM4041DSK , SM4042DSK .

History: RJU003N03FRA | PH1330AL | AP2864I-A-HF | IXTH75N10L2

 

 
Back to Top

 


 
.