SM7320ESQG Todos los transistores

 

SM7320ESQG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM7320ESQG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35(83) W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35(83) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 258(860) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0052(0.0018) Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6D-8
 

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SM7320ESQG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  sino
 sm7320esqg.pdf pdf_icon

SM7320ESQG

SM7320ESQG Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description Channel 1S2S230V/64A,G2S2RDS(ON) = 5.2m (max.) @ VGS = 10VD1RDS(ON) = 7.5m (max.) @ VGS = 4.5VD1 Pin1D1G1 Channel 2DFN5x6D-8_EP230V/85A,RDS(ON) = 1.8m (max.) @ VGS =10VRDS(ON) = 2.5m (max.) @ VGS =4.5VD1 S1/D2(2)(3)(4) 100% UIS + Rg Tested Reliable and RuggedG1 (

 9.1. Size:384K  sino
 sm7321eskp.pdf pdf_icon

SM7320ESQG

SM7321ESKP Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description Channel 1S2S230V/48A, S2G2RDS(ON) = 7m (max.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 10m (max.) @ VGS = 4.5VD1D1 Pin1D1 Channel 2 (Integrated Schottky Diode)G130V/50A,DUAL DFN5x6-8RDS(ON) = 2.9m (max.) @ VGS =10VRDS(ON) = 3.75m (max.) @ VGS =4.5VD1 S1/D2(2)(3)(4) 100% UIS Tested Reliable and Ru

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History: IPB65R190CFDA | HM80N04K | NVD5805N | 2SK2276 | IXFA80N25X3 | IPD220N06L3G | IPD50N04S4-08

 

 
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