Справочник MOSFET. SM7320ESQG

 

SM7320ESQG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM7320ESQG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35(83) W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35(83) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 258(860) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0052(0.0018) Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6D-8
 

 Аналог (замена) для SM7320ESQG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM7320ESQG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:200K  sino
 sm7320esqg.pdf pdf_icon

SM7320ESQG

SM7320ESQG Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description Channel 1S2S230V/64A,G2S2RDS(ON) = 5.2m (max.) @ VGS = 10VD1RDS(ON) = 7.5m (max.) @ VGS = 4.5VD1 Pin1D1G1 Channel 2DFN5x6D-8_EP230V/85A,RDS(ON) = 1.8m (max.) @ VGS =10VRDS(ON) = 2.5m (max.) @ VGS =4.5VD1 S1/D2(2)(3)(4) 100% UIS + Rg Tested Reliable and RuggedG1 (

 9.1. Size:384K  sino
 sm7321eskp.pdf pdf_icon

SM7320ESQG

SM7321ESKP Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description Channel 1S2S230V/48A, S2G2RDS(ON) = 7m (max.) @ VGS = 10VRDS(ON) = 10m (max.) @ VGS = 4.5VD1D1 Pin1D1 Channel 2 (Integrated Schottky Diode)G130V/50A,DUAL DFN5x6-8RDS(ON) = 2.9m (max.) @ VGS =10VRDS(ON) = 3.75m (max.) @ VGS =4.5VD1 S1/D2(2)(3)(4) 100% UIS Tested Reliable and Ru

Другие MOSFET... SM8005DSK , SM8205AO , SM9926DSK , SM9989DSO , SM9989DSQA , SM7302ESKP , SM7303ESKP , SM7304ESKP , AON6380 , SM7321ESKP , SM4913TSK , SM7340EHKP , SM7360EKQG , SM7370ESKP , APM2605C , APM3095PU , SM1102PSF .

History: IPB65R190CFDA | SI1413DH | IRF7490PBF | HY3208PS | CPMF-1200-S080B | HY4903B | HTD025N03

 

 
Back to Top

 


 
.