SM7360EKQG Todos los transistores

 

SM7360EKQG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SM7360EKQG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35(83) W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85(83) A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3050(770) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0013(0.003) Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6D-8
 

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SM7360EKQG datasheet

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SM7360EKQG

SM7360EKQG Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description Channel 1 (ESD Protection) S2S2 30V/83A, G2S2 RDS(ON) = 3m (max.) @ VGS = 10V D1 Pin1 D1 RDS(ON) = 5.6m (max.) @ VGS = 4.5V D1 G1 Channel 2 (Integrated Schottky diode) DFN5x6D-8_EP2 30V/85A, RDS(ON) = 1.3m (max.) @ VGS =10V RDS(ON) = 2.0m (max.) @ VGS =4.5V D1 S1/D2 (2)(3)(4) 100% UIS + Rg Te

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