SM7360EKQG Todos los transistores

 

SM7360EKQG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM7360EKQG

Código: 7360EK

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 35(83) W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 85(83) A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 3050(770) pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0013(0.003) Ohm

Empaquetado / Estuche: DFN5X6D-8

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SM7360EKQG Datasheet (PDF)

1.1. sm7360ekqg.pdf Size:320K _sino

SM7360EKQG
SM7360EKQG

SM7360EKQG ® Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description Channel 1 (ESD Protection) S2S2 30V/83A, G2S2 RDS(ON) = 3m (max.) @ VGS = 10V D1 Pin1 D1 RDS(ON) = 5.6m (max.) @ VGS = 4.5V D1 G1 Channel 2 (Integrated Schottky diode) DFN5x6D-8_EP2 30V/85A, RDS(ON) = 1.3m (max.) @ VGS =10V RDS(ON) = 2.0m (max.) @ VGS =4.5V D1 S1/D2 (2)(3)(4) 100% UIS + Rg Te

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