Справочник MOSFET. SM7360EKQG

 

SM7360EKQG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SM7360EKQG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35(83) W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85(83) A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3050(770) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0013(0.003) Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6D-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SM7360EKQG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:320K  sino
 sm7360ekqg.pdf pdf_icon

SM7360EKQG

SM7360EKQG Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description Channel 1 (ESD Protection)S2S230V/83A,G2S2RDS(ON) = 3m (max.) @ VGS = 10VD1Pin1D1RDS(ON) = 5.6m (max.) @ VGS = 4.5VD1G1 Channel 2 (Integrated Schottky diode)DFN5x6D-8_EP230V/85A,RDS(ON) = 1.3m (max.) @ VGS =10VRDS(ON) = 2.0m (max.) @ VGS =4.5VD1 S1/D2(2)(3)(4) 100% UIS + Rg Te

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | STD3N30T4 | H5N2004DS | DMP22M2UPS-13

 

 
Back to Top

 


 
.