SM2620CSC Todos los transistores

 

SM2620CSC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SM2620CSC

Código: K20*

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 1.4 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4.9(3) A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 37(42) pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.039(0.1) Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT23-6

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SM2620CSC Datasheet (PDF)

1.1. sm2620csc.pdf Size:200K _sino

SM2620CSC
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SM2620CSC ® Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel) Features Pin Description • N-Channel 30V/4.9A, D2 S1 RDS(ON)=39mΩ(max.) @ VGS=10V D1 G2 S2 RDS(ON)=68mΩ(max.) @ VGS=4.5V G1 • P-Channel Top View of SOT-23-6 -30V/-3A, RDS(ON)=100mΩ(max.) @ VGS=-10V (4)D2 (6)D1 RDS(ON)=170mΩ(max.) @ VGS=-4.5V Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Availabl

5.1. sm2621psc.pdf Size:162K _sino

SM2620CSC
SM2620CSC

SM2621PSC ® P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description S • -30V/-5.1A , D D G RDS(ON)= 54mΩ (Max.) @ VGS=-10V D RDS(ON)= 65mΩ (Max.) @ VGS=-4.5V D RDS(ON)= 92mΩ (Max.) @ VGS=-2.5V Top View of SOT-23-6 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (1,2,5,6) (RoHS Compliant) DD DD Applications (3)G Power Management in Notebook Comput

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