SM2620CSC - описание и поиск аналогов

 

SM2620CSC - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SM2620CSC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9(3) A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37(42) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.039(0.1) Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6
 

 Аналог (замена) для SM2620CSC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SM2620CSC технические параметры

 ..1. Size:200K  sino
sm2620csc.pdfpdf_icon

SM2620CSC

SM2620CSC Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel) Features Pin Description N-Channel 30V/4.9A, D2 S1 RDS(ON)=39m (max.) @ VGS=10V D1 G2 S2 RDS(ON)=68m (max.) @ VGS=4.5V G1 P-Channel Top View of SOT-23-6 -30V/-3A, RDS(ON)=100m (max.) @ VGS=-10V (4)D2 (6)D1 RDS(ON)=170m (max.) @ VGS=-4.5V Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Availabl

 9.1. Size:2744K  1
jsm2622.pdfpdf_icon

SM2620CSC

JSM2622 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description The JSM2622 uses advanced trench technology to G provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. S General Features Schematic diagram VDS = 20V,ID = 50A RDS(ON) Typ =4.5m @ VGS=10V 1 8 RDS(ON) =5.0m @ VGS=4.5V Typ

 9.2. Size:162K  sino
sm2617psc sm2621psc.pdfpdf_icon

SM2620CSC

SM2621PSC P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Pin Description S -30V/-5.1A , D D G RDS(ON)= 54m (Max.) @ VGS=-10V D RDS(ON)= 65m (Max.) @ VGS=-4.5V D RDS(ON)= 92m (Max.) @ VGS=-2.5V Top View of SOT-23-6 Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (1,2,5,6) (RoHS Compliant) DD DD Applications (3)G Power Management in Notebook Comput

 9.3. Size:2140K  huashuo
hsm2627.pdfpdf_icon

SM2620CSC

HSM2627 P-Ch 20V Fast Switching MOSFETs Description Product Summary The HSM2627 is the high cell density trenched VDS -20 V P-ch MOSFETs, which provide excellent RDSON and gate charge for most of the RDS(ON),max 9 m synchronous buck converter applications. ID -10.7 A The HSM2627 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved. l

Другие MOSFET... APM4568AK , APM9938K , SM1620CSCS , SM1A40CSQ , SM1A42CSK , SM2221CSQG , SM2222CSQG , SM2607CSC , EMB04N03H , SM2700CSC , SM3203CSQ , SM4066CSK , SM4066CSU4 , SM4600CSK , SM4601CSK , SM8401CSQ , SM8403CSQ .

 

 
Back to Top

 


 
.