RFL2N05L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RFL2N05L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 8.33 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.75 Ohm
Paquete / Cubierta: TO205AF
Búsqueda de reemplazo de RFL2N05L MOSFET
RFL2N05L Datasheet (PDF)
Otros transistores... SM7308CSKP , RFL1N08 , RFL1N10 , RFL1N18 , RFL1N18L , RFL1N20 , RFL1N20L , RFL2N05 , IRFP260N , RFL2N06 , RFL2N06L , RFL1P08 , RFL1P10 , RFP2N18L , AP9916H , AP9916J , SSM70T03H .
History: SM3317NSQG | SED8830A | SM3323NHQA | AP4521GEM | FDD3N40TM | SM3319NSQG
History: SM3317NSQG | SED8830A | SM3323NHQA | AP4521GEM | FDD3N40TM | SM3319NSQG



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet