RFL2N05L. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: RFL2N05L
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8.33 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.75 Ohm
Тип корпуса: TO205AF
Аналог (замена) для RFL2N05L
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
RFL2N05L даташит
Другие MOSFET... SM7308CSKP , RFL1N08 , RFL1N10 , RFL1N18 , RFL1N18L , RFL1N20 , RFL1N20L , RFL2N05 , IRF640N , RFL2N06 , RFL2N06L , RFL1P08 , RFL1P10 , RFP2N18L , AP9916H , AP9916J , SSM70T03H .
History: STL7N60M2 | SI4435BDY | 2SJ505L | TPM1013ER3 | 2SK1203 | 2SK2122 | 2SK3572-Z
History: STL7N60M2 | SI4435BDY | 2SJ505L | TPM1013ER3 | 2SK1203 | 2SK2122 | 2SK3572-Z
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet | tip36c datasheet


