RFL1P08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: RFL1P08
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 8.33 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.65 Ohm
Paquete / Cubierta: TO205AF
Búsqueda de reemplazo de RFL1P08 MOSFET
RFL1P08 Datasheet (PDF)
Otros transistores... RFL1N18 , RFL1N18L , RFL1N20 , RFL1N20L , RFL2N05 , RFL2N05L , RFL2N06 , RFL2N06L , AON6414A , RFL1P10 , RFP2N18L , AP9916H , AP9916J , SSM70T03H , SSM70T03J , IRF630MFP , IRFD123 .
History: IRFU1N60APBF | TPCJ1012 | TPCA8016-H | SSF2649 | NP88N055DLE | IXFL36N110P | DH100P30I
History: IRFU1N60APBF | TPCJ1012 | TPCA8016-H | SSF2649 | NP88N055DLE | IXFL36N110P | DH100P30I



Liste
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MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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