RFL1P08 - описание и поиск аналогов

 

RFL1P08. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RFL1P08

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8.33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.65 Ohm

Тип корпуса: TO205AF

Аналог (замена) для RFL1P08

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFL1P08 даташит

 ..1. Size:85K  njs
rfl1p08 rfl1p10.pdfpdf_icon

RFL1P08

Другие MOSFET... RFL1N18 , RFL1N18L , RFL1N20 , RFL1N20L , RFL2N05 , RFL2N05L , RFL2N06 , RFL2N06L , IRFB4227 , RFL1P10 , RFP2N18L , AP9916H , AP9916J , SSM70T03H , SSM70T03J , IRF630MFP , IRFD123 .

History: AP50T10AGI-HF | KI2305DS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.