CEB51A3 Todos los transistores

 

CEB51A3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEB51A3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 232 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0165 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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CEB51A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:83K  cet
 cep51a3 ceb51a3.pdf pdf_icon

CEB51A3

CEP51A3/CEB51A3N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 48A, RDS(ON) =16.5m @VGS = 10V.RDS(ON) =28m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25

Otros transistores... MDF11N65B , MMIS60R580P , 2SK3435 , 2SK3435-S , 2SK3435-Z , AM4410N , APM2014N , B3942 , 4435 , CEP51A3 , CS4145 , FDD6035AL , FHP740 , FTP08N06A , GPT13N50 , GPT13N50D , JCS4N65C .

History: IRLD120 | SML80H12 | BUK563-100A | 2N6756JTXV | IXTP26P20P | IRFU224 | FRM244R

 

 
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