CEB51A3 Todos los transistores

 

CEB51A3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CEB51A3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 48 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 232 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0165 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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CEB51A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:83K  cet
 cep51a3 ceb51a3.pdf pdf_icon

CEB51A3

CEP51A3/CEB51A3N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 48A, RDS(ON) =16.5m @VGS = 10V.RDS(ON) =28m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25

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