CEB51A3 - описание и поиск аналогов

 

CEB51A3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CEB51A3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 48 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 232 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для CEB51A3

  - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CEB51A3 даташит

 ..1. Size:83K  cet
 cep51a3 ceb51a3.pdf pdf_icon

CEB51A3

CEP51A3/CEB51A3 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES 30V, 48A, RDS(ON) =16.5m @VGS = 10V. RDS(ON) =28m @VGS = 4.5V. Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. D Lead free product is acquired. TO-220 & TO-263 package. G CEB SERIES CEP SERIES TO-263(DD-PAK) S TO-220 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25

Другие MOSFET... MDF11N65B , MMIS60R580P , 2SK3435 , 2SK3435-S , 2SK3435-Z , AM4410N , APM2014N , B3942 , 5N65 , CEP51A3 , CS4145 , FDD6035AL , FHP740 , FTP08N06A , GPT13N50 , GPT13N50D , JCS4N65C .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.