CS4145 Todos los transistores

 

CS4145 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CS4145

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 84 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 375 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: TO220AB

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CS4145 datasheet

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CS4145

Huajing Discrete Devices R Silicon N-Channel Power MOSFET CS4145 A8H General Description VDSS 60 V CS4145 A8H, the silicon N-channel Enhanced ID 84 A PD(TC=25 ) 200 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 8.5 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor

Otros transistores... 2SK3435 , 2SK3435-S , 2SK3435-Z , AM4410N , APM2014N , B3942 , CEB51A3 , CEP51A3 , IRFB3607 , FDD6035AL , FHP740 , FTP08N06A , GPT13N50 , GPT13N50D , JCS4N65C , JCS4N65F , JCS4N65R .

History: APM2300CAC | AOD2610E | STM8362 | TK62N60X | ELM32414LA | R6007KNX

 

 

 

 

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