CS4145 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CS4145  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 375 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CS4145

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS4145 даташит

 ..1. Size:350K  wuxi china
 cs4145.pdf pdf_icon

CS4145

Huajing Discrete Devices R Silicon N-Channel Power MOSFET CS4145 A8H General Description VDSS 60 V CS4145 A8H, the silicon N-channel Enhanced ID 84 A PD(TC=25 ) 200 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 8.5 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor

Другие IGBT... 2SK3435, 2SK3435-S, 2SK3435-Z, AM4410N, APM2014N, B3942, CEB51A3, CEP51A3, AON7506, FDD6035AL, FHP740, FTP08N06A, GPT13N50, GPT13N50D, JCS4N65C, JCS4N65F, JCS4N65R