Справочник MOSFET. CS4145

 

CS4145 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS4145
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 82 nC
   trⓘ - Время нарастания: 75 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 375 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CS4145 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:350K  wuxi china
 cs4145.pdf pdf_icon

CS4145

Huajing Discrete Devices R Silicon N-Channel Power MOSFET CS4145 A8H General Description VDSS 60 V CS4145 A8H, the silicon N-channel Enhanced ID 84 A PD(TC=25) 200 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 8.5 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQI11P06TU

 

 
Back to Top

 


 
.