CS4145 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CS4145
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 375 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
Тип корпуса: TO220AB
Аналог (замена) для CS4145
CS4145 Datasheet (PDF)
cs4145.pdf
Huajing Discrete Devices R Silicon N-Channel Power MOSFET CS4145 A8H General Description VDSS 60 V CS4145 A8H, the silicon N-channel Enhanced ID 84 A PD(TC=25) 200 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar RDS(ON)Typ 8.5 m Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor
Другие MOSFET... 2SK3435 , 2SK3435-S , 2SK3435-Z , AM4410N , APM2014N , B3942 , CEB51A3 , CEP51A3 , IRF1407 , FDD6035AL , FHP740 , FTP08N06A , GPT13N50 , GPT13N50D , JCS4N65C , JCS4N65F , JCS4N65R .
History: IXFH50N60X | HUF76629D3S
History: IXFH50N60X | HUF76629D3S
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM30P20AP | AGM30P18S | AGM30P18E | AGM30P16S | AGM30P16D | AGM30P16AP | AGM30P14MBP | AGM30P12M | AGM30P12D | AGM30P110D | AGM30P110A | AGM30P10SR | AGM30P10S | AGM30P10K | AGM30P10AP | AGM25N15C
Popular searches
ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent | 60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet


