GPT13N50 Todos los transistores

 

GPT13N50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: GPT13N50
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 193 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.49 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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GPT13N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1204K  champion
 gpt13n50 gpt13n50d.pdf pdf_icon

GPT13N50

GPT13N50 / GPT13N50D POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR Fig 6. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Gate-to-Source Voltage Drain-to-Source Voltage 2013/6/26 Rev1.4 Greatpower Microelectronic Corp. Page 4 GPT13N50 / GPT13N50D POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR PACKAGE DIMENSION TO-220 TO-220F 2013/6/26 Rev1.4 Greatpower Microelectronic Corp. Page 5 GPT13N50 / G

Otros transistores... APM2014N , B3942 , CEB51A3 , CEP51A3 , CS4145 , FDD6035AL , FHP740 , FTP08N06A , IRFP450 , GPT13N50D , JCS4N65C , JCS4N65F , JCS4N65R , JCS4N65V , LSK389 , MDV1528 , ME60N03 .

History: HUFA75343S3S | NCE0160AG | SM2609PSC | TSJ10N10AT | AOI4130 | 2SK3575-Z | IXFH150N17T

 

 
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