GPT13N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: GPT13N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 193 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.49 Ohm
Тип корпуса: TO220
GPT13N50 Datasheet (PDF)
gpt13n50 gpt13n50d.pdf

GPT13N50 / GPT13N50D POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR Fig 6. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Gate-to-Source Voltage Drain-to-Source Voltage 2013/6/26 Rev1.4 Greatpower Microelectronic Corp. Page 4 GPT13N50 / GPT13N50D POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR PACKAGE DIMENSION TO-220 TO-220F 2013/6/26 Rev1.4 Greatpower Microelectronic Corp. Page 5 GPT13N50 / G
Другие MOSFET... APM2014N , B3942 , CEB51A3 , CEP51A3 , CS4145 , FDD6035AL , FHP740 , FTP08N06A , IRFP450 , GPT13N50D , JCS4N65C , JCS4N65F , JCS4N65R , JCS4N65V , LSK389 , MDV1528 , ME60N03 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH1506MTL | JMSH1506ASQ | JMSH1506AS | JMSH1506AE7 | JMSH1207AG | JMSH1207AE | JMSH1207AC | JMSH1204PTL | JMSH1204PE | JMSH1204PC | JMH65R190PSFD | JMH65R190PFFD | JMH65R190PEFD | JMH65R190PCFD | JMH65R190AW | JMH65R190AS
Popular searches
60n60 mosfet | 2sc2412 | 2sc372 | 2sd400 datasheet | k2645 | tip3055 equivalent | 3sk73 | 13n10 mosfet