GPT13N50 - описание и поиск аналогов

 

GPT13N50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: GPT13N50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 193 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.49 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для GPT13N50

  - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GPT13N50 даташит

 ..1. Size:1204K  champion
 gpt13n50 gpt13n50d.pdf pdf_icon

GPT13N50

GPT13N50 / GPT13N50D POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR Fig 6. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Gate-to-Source Voltage Drain-to-Source Voltage 2013/6/26 Rev1.4 Greatpower Microelectronic Corp. Page 4 GPT13N50 / GPT13N50D POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR PACKAGE DIMENSION TO-220 TO-220F 2013/6/26 Rev1.4 Greatpower Microelectronic Corp. Page 5 GPT13N50 / G

Другие MOSFET... APM2014N , B3942 , CEB51A3 , CEP51A3 , CS4145 , FDD6035AL , FHP740 , FTP08N06A , NCEP15T14 , GPT13N50D , JCS4N65C , JCS4N65F , JCS4N65R , JCS4N65V , LSK389 , MDV1528 , ME60N03 .

History: APM2014N | FDG330P

 

 

 


 
↑ Back to Top
.