JCS4N65V Todos los transistores

 

JCS4N65V MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JCS4N65V

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 51 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 650 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 75 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 62 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2.5 Ohm

Empaquetado / Estuche: IPAK

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JCS4N65V Datasheet (PDF)

3.1. jcs4n65f-c-r-v.pdf Size:779K _jilin_sino

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N lSX:_W:WHe^vfSO{ R N-CHANNEL MOSFET JCS4N65C \ň Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 650 V VDSS RdsonVgs=10V 2.5 9nC Qg APPLICATIONS (u High frequency switching

4.1. jcs4n60vb jcs4n60rb jcs4n60bb jcs4n60cb jcs4n60fb.pdf Size:1019K _1

JCS4N65V
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N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS4N60B 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 600 V VDSS Rdson(Vgs=10V) 2.4Ω 13.3nC Qg APPLICATIONS 用途 High efficiency switch 高频开关电源 mode power supplies 电子镇流器 Electronic lamp ballasts UPS 电源 based on half bridge UPS 产品特性

4.2. jcs4n60f.pdf Size:948K _jilin_sino

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N lSX:_W:WHe^vfSO{ R N-CHANNEL MOSFET JCS4N60 \ň Package ;NSpe MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 600 V VDSS Rdson 2.5 @Vgs=10V 27 nC Qg APPLICATIONS (u High efficiency switch

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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