JCS4N65V MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: JCS4N65V
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 51 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 75 ns
Выходная емкость (Cd): 62 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.5 Ohm
Тип корпуса: IPAK
JCS4N65V Datasheet (PDF)
3.1. jcs4n65f-c-r-v.pdf 
Size:779K _jilin_sino
N lSX:_W:WHe^vfSO{ R N - C H A N N E L M O S F E T J C S 4 N 6 5 C \ň P a c k a g e ;NSpe M A I N C H A R A C T E R I S T I C S 4 . 0 A I D 6 5 0 V V D S S R d s o n V g s = 1 0 V 2 . 5 9 n C Q g A P P L I C A T I O N S (u H i g h f r e q u e n c y s w i t c h i n g
4.1. jcs4n60vb jcs4n60rb jcs4n60bb jcs4n60cb jcs4n60fb.pdf Size:1019K _1
N 沟道增强型场效应晶体管 R N-CHANNEL MOSFET JCS4N60B 封装 Package 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 600 V VDSS Rdson（Vgs=10V） 2.4Ω 13.3nC Qg APPLICATIONS 用途 High efficiency switch 高频开关电源 mode power supplies 电子镇流器 Electronic lamp ballasts UPS 电源 based on half bridge UPS 产品特性
4.2. jcs4n60f.pdf Size:948K _jilin_sino
N lSX:_W:WHe^vfSO{ R N - C H A N N E L M O S F E T J C S 4 N 6 0 \ň P a c k a g e ;NSpe M A I N C H A R A C T E R I S T I C S 4 . 0 A I D 6 0 0 V V D S S R d s o n 2 . 5 @ V g s = 1 0 V 2 7 n C Q g A P P L I C A T I O N S (u H i g h e f f i c i e n c y s w i t c h
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
