LSK389 Todos los transistores

 

LSK389 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LSK389

Tipo de FET: JFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.02 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 135 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 50 Ohm

Encapsulados: TO71

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LSK389 datasheet

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LSK389

LSK389 ULTRA LOW NOISE MONOLITHIC DUAL Linear Integrated Systems N-CHANNEL JFET FEATURES ULTRA LOW NOISE en = 0.9nV/ Hz (typ) TIGHT MATCHING VGS1-2 = 20mV max HIGH BREAKDOWN VOLTAGE BVGSS = 40V max HIGH GAIN Yfs = 20mS (typ) TO-71 BOTTOM VIEW LOW CAPACITANCE 25pF typ SOIC-A IMPROVED SECOND SOURCE REPLACEMENT FOR 2SK389 1 8 S1 G2 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1 3 5 G1 S

Otros transistores... FHP740 , FTP08N06A , GPT13N50 , GPT13N50D , JCS4N65C , JCS4N65F , JCS4N65R , JCS4N65V , BS170 , MDV1528 , ME60N03 , ME60N03A , NE5520279A , NTE458 , PHB55N03LTA , PHD55N03LTA , PHP55N03LTA .

History: IRHQ567110 | F12N65 | 2SK3064 | DMTH6009LK3 | TMAN7N90

 

 

 

 

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