LSK389 Todos los transistores

 

LSK389 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LSK389
   Tipo de FET: JFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.02 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 135 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 50 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO71
 

 Búsqueda de reemplazo de LSK389 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

LSK389 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:114K  linear-systems
 lsk389.pdf pdf_icon

LSK389

LSK389 ULTRA LOW NOISE MONOLITHIC DUAL Linear Integrated Systems N-CHANNEL JFET FEATURES ULTRA LOW NOISE en = 0.9nV/Hz (typ)TIGHT MATCHING |VGS1-2| = 20mV maxHIGH BREAKDOWN VOLTAGE BVGSS = 40V max HIGH GAIN Yfs = 20mS (typ) TO-71BOTTOM VIEWLOW CAPACITANCE 25pF typ SOIC-AIMPROVED SECOND SOURCE REPLACEMENT FOR 2SK389 1 8S1 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1 3 5G1 S

Otros transistores... FHP740 , FTP08N06A , GPT13N50 , GPT13N50D , JCS4N65C , JCS4N65F , JCS4N65R , JCS4N65V , 18N50 , MDV1528 , ME60N03 , ME60N03A , NE5520279A , NTE458 , PHB55N03LTA , PHD55N03LTA , PHP55N03LTA .

History: IRF625

 

 
Back to Top

 


 
.