Справочник MOSFET. LSK389

 

LSK389 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LSK389
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.02 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 135 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm
   Тип корпуса: TO71
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

LSK389 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:114K  linear-systems
 lsk389.pdf pdf_icon

LSK389

LSK389 ULTRA LOW NOISE MONOLITHIC DUAL Linear Integrated Systems N-CHANNEL JFET FEATURES ULTRA LOW NOISE en = 0.9nV/Hz (typ)TIGHT MATCHING |VGS1-2| = 20mV maxHIGH BREAKDOWN VOLTAGE BVGSS = 40V max HIGH GAIN Yfs = 20mS (typ) TO-71BOTTOM VIEWLOW CAPACITANCE 25pF typ SOIC-AIMPROVED SECOND SOURCE REPLACEMENT FOR 2SK389 1 8S1 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1 3 5G1 S

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRLMS6702PBF | BUK110-50DL | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | CS6N80FA9

 

 
Back to Top

 


 
.