Справочник MOSFET. LSK389

 

LSK389 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LSK389
   Тип транзистора: JFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.02 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 135 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm
   Тип корпуса: TO71
 

 Аналог (замена) для LSK389

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LSK389 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:114K  linear-systems
 lsk389.pdf pdf_icon

LSK389

LSK389 ULTRA LOW NOISE MONOLITHIC DUAL Linear Integrated Systems N-CHANNEL JFET FEATURES ULTRA LOW NOISE en = 0.9nV/Hz (typ)TIGHT MATCHING |VGS1-2| = 20mV maxHIGH BREAKDOWN VOLTAGE BVGSS = 40V max HIGH GAIN Yfs = 20mS (typ) TO-71BOTTOM VIEWLOW CAPACITANCE 25pF typ SOIC-AIMPROVED SECOND SOURCE REPLACEMENT FOR 2SK389 1 8S1 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1 3 5G1 S

Другие MOSFET... FHP740 , FTP08N06A , GPT13N50 , GPT13N50D , JCS4N65C , JCS4N65F , JCS4N65R , JCS4N65V , 18N50 , MDV1528 , ME60N03 , ME60N03A , NE5520279A , NTE458 , PHB55N03LTA , PHD55N03LTA , PHP55N03LTA .

History: PHT11N06LT | 2SK3435-S | STM4437A | SIHFD123 | SSS7N80A | FRM244D

 

 
Back to Top

 


 
.