LSK389 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: LSK389
Тип транзистора: JFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.02 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 135 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 50 Ohm
Тип корпуса: TO71
Аналог (замена) для LSK389
LSK389 Datasheet (PDF)
lsk389.pdf
LSK389 ULTRA LOW NOISE MONOLITHIC DUAL Linear Integrated Systems N-CHANNEL JFET FEATURES ULTRA LOW NOISE en = 0.9nV/Hz (typ)TIGHT MATCHING |VGS1-2| = 20mV maxHIGH BREAKDOWN VOLTAGE BVGSS = 40V max HIGH GAIN Yfs = 20mS (typ) TO-71BOTTOM VIEWLOW CAPACITANCE 25pF typ SOIC-AIMPROVED SECOND SOURCE REPLACEMENT FOR 2SK389 1 8S1 G2ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS1 3 5G1 S
Другие MOSFET... FHP740 , FTP08N06A , GPT13N50 , GPT13N50D , JCS4N65C , JCS4N65F , JCS4N65R , JCS4N65V , BS170 , MDV1528 , ME60N03 , ME60N03A , NE5520279A , NTE458 , PHB55N03LTA , PHD55N03LTA , PHP55N03LTA .
History: 2SK1805 | IPA65R1K5CE | FQA55N25 | CMT04N60XN220FP
History: 2SK1805 | IPA65R1K5CE | FQA55N25 | CMT04N60XN220FP
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
3sk73 | 13n10 mosfet | 2n3565 transistor | datasheet irfz44n | 2sd1047 transistor | mj802 | bu508a | bc560c


