NE5520279A Todos los transistores

 

NE5520279A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NE5520279A
   Código: A2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 12.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 15 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.9 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: 79A
 

 Búsqueda de reemplazo de NE5520279A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

NE5520279A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:348K  nec
 ne5520279a.pdf pdf_icon

NE5520279A

NEC'S 3.2 V, 2 W, L&S BAND NE5520279AMEDIUM POWER SILICON LD-MOSFETFEATURES OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm) LOW COST PLASTIC SURFACE MOUNT PACKAGE: PACKAGE OUTLINE 79A 5.7x5.7x1.1 mm MAX(Bottom View)4.2 MAX. 1.50.2 HIGH OUTPUT POWER: Source Source +32 dBm TYP HIGH LINEAR GAIN: Gate Drain Gate Drain 10 dB TYP @ 1.8 GHz HIGH POWER ADDED EFFICIENCY:

 ..2. Size:1026K  cel
 ne5520279a.pdf pdf_icon

NE5520279A

SILICON POWER MOS FET NE5520279A 3.2 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR 1.8 GHz 1.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS DESCRIPTION The NE5520279A is an N-channel silicon power laterally diffused MOS FET specially designed as the transmission power amplifier for 3.2 V DCS1800 handsets. Dies are manufactured using our NEWMOS2 technology (our WSi gate laterally diffused MOS FET) and h

Otros transistores... JCS4N65C , JCS4N65F , JCS4N65R , JCS4N65V , LSK389 , MDV1528 , ME60N03 , ME60N03A , 5N65 , NTE458 , PHB55N03LTA , PHD55N03LTA , PHP55N03LTA , QM3006D , SI4340DY , SPB80N08S2L , SPP80N08S2L .

History: FDMC8882 | PHX3N40E

 

 
Back to Top

 


 
.