NE5520279A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NE5520279A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 12.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 15 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
Paquete / Cubierta: 79A

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NE5520279A Datasheet (PDF)

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..2. Size:1026K cel
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SILICON POWER MOS FET NE5520279A 3.2 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR 1.8 GHz 1.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS DESCRIPTION The NE5520279A is an N-channel silicon power laterally diffused MOS FET specially designed as the transmission power amplifier for 3.2 V DCS1800 handsets. Dies are manufactured using our NEWMOS2 technology (our WSi gate laterally diffused MOS FET) and h

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Liste

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