NE5520279A Todos los transistores

 

NE5520279A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NE5520279A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 12.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 15 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: 79A
 

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NE5520279A Datasheet (PDF)

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NE5520279A

NEC'S 3.2 V, 2 W, L&S BAND NE5520279AMEDIUM POWER SILICON LD-MOSFETFEATURES OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm) LOW COST PLASTIC SURFACE MOUNT PACKAGE: PACKAGE OUTLINE 79A 5.7x5.7x1.1 mm MAX(Bottom View)4.2 MAX. 1.50.2 HIGH OUTPUT POWER: Source Source +32 dBm TYP HIGH LINEAR GAIN: Gate Drain Gate Drain 10 dB TYP @ 1.8 GHz HIGH POWER ADDED EFFICIENCY:

 ..2. Size:1026K  cel
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NE5520279A

SILICON POWER MOS FET NE5520279A 3.2 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR 1.8 GHz 1.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS DESCRIPTION The NE5520279A is an N-channel silicon power laterally diffused MOS FET specially designed as the transmission power amplifier for 3.2 V DCS1800 handsets. Dies are manufactured using our NEWMOS2 technology (our WSi gate laterally diffused MOS FET) and h

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