NE5520279A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NE5520279A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 15 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 5 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: 79A

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NE5520279A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NE5520279A даташит

 ..1. Size:348K  nec
 ne5520279a.pdf pdf_icon

NE5520279A

NEC'S 3.2 V, 2 W, L&S BAND NE5520279A MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET FEATURES OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm) LOW COST PLASTIC SURFACE MOUNT PACKAGE PACKAGE OUTLINE 79A 5.7x5.7x1.1 mm MAX (Bottom View) 4.2 MAX. 1.5 0.2 HIGH OUTPUT POWER Source Source +32 dBm TYP HIGH LINEAR GAIN Gate Drain Gate Drain 10 dB TYP @ 1.8 GHz HIGH POWER ADDED EFFICIENCY

 ..2. Size:1026K  cel
 ne5520279a.pdf pdf_icon

NE5520279A

SILICON POWER MOS FET NE5520279A 3.2 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR 1.8 GHz 1.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS DESCRIPTION The NE5520279A is an N-channel silicon power laterally diffused MOS FET specially designed as the transmission power amplifier for 3.2 V DCS1800 handsets. Dies are manufactured using our NEWMOS2 technology (our WSi gate laterally diffused MOS FET) and h

Другие IGBT... JCS4N65C, JCS4N65F, JCS4N65R, JCS4N65V, LSK389, MDV1528, ME60N03, ME60N03A, IRF1407, NTE458, PHB55N03LTA, PHD55N03LTA, PHP55N03LTA, QM3006D, SI4340DY, SPB80N08S2L, SPP80N08S2L