NE5520279A - описание и поиск аналогов

 

Аналоги NE5520279A. Основные параметры


   Наименование производителя: NE5520279A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 15 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: 79A
 

 Аналог (замена) для NE5520279A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NE5520279A даташит

 ..1. Size:348K  nec
 ne5520279a.pdf pdf_icon

NE5520279A

NEC'S 3.2 V, 2 W, L&S BAND NE5520279A MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET FEATURES OUTLINE DIMENSIONS (Units in mm) LOW COST PLASTIC SURFACE MOUNT PACKAGE PACKAGE OUTLINE 79A 5.7x5.7x1.1 mm MAX (Bottom View) 4.2 MAX. 1.5 0.2 HIGH OUTPUT POWER Source Source +32 dBm TYP HIGH LINEAR GAIN Gate Drain Gate Drain 10 dB TYP @ 1.8 GHz HIGH POWER ADDED EFFICIENCY

 ..2. Size:1026K  cel
 ne5520279a.pdf pdf_icon

NE5520279A

SILICON POWER MOS FET NE5520279A 3.2 V OPERATION SILICON RF POWER LDMOS FET FOR 1.8 GHz 1.6 W TRANSMISSION AMPLIFIERS DESCRIPTION The NE5520279A is an N-channel silicon power laterally diffused MOS FET specially designed as the transmission power amplifier for 3.2 V DCS1800 handsets. Dies are manufactured using our NEWMOS2 technology (our WSi gate laterally diffused MOS FET) and h

Другие MOSFET... JCS4N65C , JCS4N65F , JCS4N65R , JCS4N65V , LSK389 , MDV1528 , ME60N03 , ME60N03A , 2SK3568 , NTE458 , PHB55N03LTA , PHD55N03LTA , PHP55N03LTA , QM3006D , SI4340DY , SPB80N08S2L , SPP80N08S2L .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.