PHB55N03LTA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHB55N03LTA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 45 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 340 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
Encapsulados: D2PAK
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PHB55N03LTA datasheet
php55n03lta phb55n03lta phd55n03lta.pdf
PHP55N03LTA;PHB55N03LTA; PHD55N03LTA N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 02 2 August 2001 Product data 1. Description N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability PHP55N03LTA in a SOT78 (TO-220AB) PHB55N03LTA in a SOT404 (D2-PAK) PHD55N03LTA in a SOT428 (D-PAK). 2. Features Low
phb55n03lt phd55n03lt php55n03lt 6.pdf
Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP55N03LT, PHB55N03LT Logic level FET PHD55N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 55 A Low thermal resistance Logic level compatible RDS(ON) 14 m (VGS = 10 V) g RDS(ON) 18 m (VGS
phb55n03t 1.pdf
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB55N03T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 30 V suitable for surface mounting using ID Drain current (DC) 55 A trench technology. The devic
Otros transistores... JCS4N65R , JCS4N65V , LSK389 , MDV1528 , ME60N03 , ME60N03A , NE5520279A , NTE458 , 5N60 , PHD55N03LTA , PHP55N03LTA , QM3006D , SI4340DY , SPB80N08S2L , SPP80N08S2L , STK630F , TSF8N60M .
History: SSC8035GS6
History: SSC8035GS6
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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