PHB55N03LTA - описание и поиск аналогов

 

PHB55N03LTA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHB55N03LTA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V

tr ⓘ - Время нарастания: 45 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для PHB55N03LTA

  - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHB55N03LTA даташит

 ..1. Size:110K  philips
php55n03lta phb55n03lta phd55n03lta.pdfpdf_icon

PHB55N03LTA

PHP55N03LTA;PHB55N03LTA; PHD55N03LTA N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 02 2 August 2001 Product data 1. Description N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability PHP55N03LTA in a SOT78 (TO-220AB) PHB55N03LTA in a SOT404 (D2-PAK) PHD55N03LTA in a SOT428 (D-PAK). 2. Features Low

 4.1. Size:109K  philips
phb55n03lt phd55n03lt php55n03lt 6.pdfpdf_icon

PHB55N03LTA

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP55N03LT, PHB55N03LT Logic level FET PHD55N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 55 A Low thermal resistance Logic level compatible RDS(ON) 14 m (VGS = 10 V) g RDS(ON) 18 m (VGS

 6.1. Size:51K  philips
phb55n03t 1.pdfpdf_icon

PHB55N03LTA

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHB55N03T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 30 V suitable for surface mounting using ID Drain current (DC) 55 A trench technology. The devic

Другие MOSFET... JCS4N65R , JCS4N65V , LSK389 , MDV1528 , ME60N03 , ME60N03A , NE5520279A , NTE458 , 5N60 , PHD55N03LTA , PHP55N03LTA , QM3006D , SI4340DY , SPB80N08S2L , SPP80N08S2L , STK630F , TSF8N60M .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.