STK630F Todos los transistores

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STK630F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STK630F

Código: STK630

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 30 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 9 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 13 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 110 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.4 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO220F

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STK630F Datasheet (PDF)

1.1. stk630f.pdf Size:481K _update

STK630F
STK630F

 STK630F Semiconductor Semiconductor Power MOSFET Features • Avalanche rugged technology. • Low input capacitance. • Low leakage current : 10㎂ (Max.) @ VDS=200V. • Low RDS(on) : 0.30Ω(Typ.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK630F STK630 TO-220F-3L Outline Dimensions unit : mm Φ3.05~3.35 9.80~10.20 2.60~3.00 1.07 Min. 0.90 Max.

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