STK630F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STK630F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
Encapsulados: TO220F
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STK630F datasheet
stk630f.pdf
STK630F Semiconductor Semiconductor Power MOSFET Features Avalanche rugged technology. Low input capacitance. Low leakage current 10 (Max.) @ VDS=200V. Low RDS(on) 0.30 (Typ.) Ordering Information Type NO. Marking Package Code STK630F STK630 TO-220F-3L Outline Dimensions unit mm 3.05 3.35 9.80 10.20 2.60 3.00 1.07 Min. 0.90 Max.
Otros transistores... NTE458 , PHB55N03LTA , PHD55N03LTA , PHP55N03LTA , QM3006D , SI4340DY , SPB80N08S2L , SPP80N08S2L , IRF2807 , TSF8N60M , TSP8N60M , UTC50N06L , STK0460F , FMH23N50E , FMV23N50E , FMR23N50E , FQP630 .
History: WMM13N50C4
History: WMM13N50C4
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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